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第361章360徒手搓晶圓

“小劉，小鄒，你們确實沒有在湖弄我？”林剛把話說完，就感覺自己有些冒失了。

因為視頻裡的兩人都是那處航天基地中出來的。

就拿劉成棟而言，他本人是基地的二把手，論起職位級别比林衛國這個光電所的所長還要高上那麼一頭。

林衛國也是仗着年齡大，資曆老，才會喊對方一聲小劉。

至于另一位鄒穎就更不必說了，她是基地中的技術部門負責人，經常會與光電所這樣的兄弟單位進行合作交流，對彼此的情況也非常熟悉。

就拿最先研發投産的虛拟投影腕表而言，裡面幾項核心技術就是采用了光電所的技術儲備。

從這樣兩個位高職重的“熟人”口中得知了制造原子級别精度光刻機的事情，林衛國的心中就不免起了幾分将信将疑的心思。

沒辦法，誰讓這兩人提到的原子級别的精度實在是太匪夷所思了一點！

說到這，就不得不先簡單提一下芯片制造的整個流程：晶圓加工氧化光刻刻蝕薄膜沉積互連測試封裝。

而其中最為關鍵的技術步驟，就是光刻。

什麼是光刻？

簡單點理解就是通過特殊波動的光線将設計好的電路圖桉“印刷”到晶圓上。

現目前市面上主流的光刻機，按照制程範圍可以分兩種：一種是通過準分子激光，将193納米光源進行折射的duv光刻機。

duv光刻機基本隻能做到25納米級别，像着名的因特爾公司就采用雙工作台的魔改方式将duv光刻機的精度做到10納米，但是無法達到10納米以下。

不過duv光刻已經是過去式，另外一種更加先進的euv光刻機，采取的是等離子激光發射，它能發射的光源光波波長能達到135納米。

在這個曝光精度區間下，一些先進點的晶圓大廠利用多層曝光的手段，亦或是多工作平台的疊加，大幅度提升分辨率，讓曝光刻蝕的電路精度級别得到數倍的提升，從而産出7納米甚至更高級别的5納米芯片。

但是這樣的取巧方法帶來的結果就是，最終晶圓流片的良品率偏低，進而導緻芯片制造成本的成倍上升。

這也是為何，高端芯片的價格始終居高不下。

想要解決這個問題，就必須不斷提升光刻機的曝光精度，改善芯片的制造工藝。

那麼陳決提出的01納米精度是什麼概念？

就目前人類掌握的精度級别，别說是國内的這些光電所和那些半路出家的半導體研發企業了，就算交給整個行業龍頭的風車國asl公司都得耗費上幾十年、甚至半個世紀去追趕。

一旦拿到這樣精度級别的光刻母機，别說什麼7納米、5納米芯片了，就算規格、性能再提升百倍、千倍的芯片都能分分鐘造出來。

這也是為何林衛國在聽到這個消息後，會表現地如此震驚，實在是因為基地這邊的這顆“衛星”放地太大了一些。

……

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